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產(chǎn)品詳情

北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢

日期:2025-05-14 22:20
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摘要: 北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢 ● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù): 目前國內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式,但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國產(chǎn)儀器維護(hù)率過高的主要原因。而華測****的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù),將起到對控制系統(tǒng)的**防護(hù)。 ●多級循環(huán)電壓采集技術(shù): 材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然...

北京華測高溫?fù)舸y試儀優(yōu)勢

● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù): 
目前國內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式,但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國產(chǎn)儀器維護(hù)率過高的主要原因。而華測****的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù),將起到對控制系統(tǒng)的**防護(hù)。
 
●多級循環(huán)電壓采集技術(shù): 
   材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級循環(huán)采集技術(shù)對擊穿后的電壓采集將解決此難題。 

京公網(wǎng)安備 11010802025692號

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